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根据公开的市场研究报告,2025年中国车规级IGBT行业在市场规模、技术进步和国产替代等方面均呈现快速发展态势,尤其是在新能源汽车市场的驱动下,整个产业链处于高景气周期。

为了让你快速把握行业核心数据,我将关键信息整理为下表:
| 维度 | 核心数据/进展 | 数据来源/说明 |
| 市场规模 | 中国IGBT市场总空间约601亿元 (预测2025年) | 东吴证券预测,其中新能源汽车IGBT需求约387亿元 |
| 中国IGBT市场规模约244.9亿元 (预测2025年) | 中商产业研究院预测,统计口径不同,反映市场处于快速成长期 | |
| 产量 | 中国IGBT产量将超4000万只 (预测2025年) | 国内产能持续扩张以满足下游需求 |
| 工艺技术 | 碳化硅(SiC)器件加速渗透,适配800V高压平台 | 多家车企布局,带动SiC需求,2027年全球汽车SiC器件市场预计达50亿美元 |
| 先进封装技术应用,如双面散热、银烧结、SIP等 | 提升模块的功率密度、散热能力和可靠性 | |
| 核心应用 | 新能源汽车是最大驱动力,占IGBT下游需求的重要部分 | 应用于主逆变器(OBC)、车载充电机、DC-DC转换器等核心部件 |
| 国产化 | 本土厂商份额快速提升,斯达半导全球市占率已跃居第六 | 国产厂商在车规级认证、客户导入方面取得突破 |
车规级IGBT模块的制造工艺正朝着提升性能、可靠性和集成度的方向发展,主要技术路径如下:
| 技术路径 | 核心技术/特点 | 目标与进展 |
| 第三代半导体碳化硅(SiC) | 沟槽辅助平面栅等技术,降低导通电阻,提升效率。适配800V高压平台,解决充电焦虑。 | 目标是替代部分高压IGBT。2025年有厂商推出符合AEC-Plus高标准认证的SiC MOSFET。 |
| 先进封装技术 | 双面散热(DSC)封装:提升散热效率。 | 目标是提高功率密度和寿命。国内头部企业已实现车规级模块的规模化生产。 |
| 银烧结技术:替代传统焊料,提高连接可靠性和导热性。 | ||
| 系统级封装(SiP):如Underfill工艺,提升模组在振动、温差下的可靠性。 | ||
| 芯片设计与制造 | 推进8英寸、12英寸晶圆量产,提高产能。发展微沟槽栅等精细结构设计,降低损耗。 | 目标是提升良率、降低成本。国内已建成首条8英寸IGBT晶圆量产线。 |
新能源汽车是车规级IGBT最核心的增长引擎,其应用贯穿了车辆的“三电系统”:
主驱逆变器:这是价值量最高的部分,将电池的直流电转换为电机使用的交流电。随着电动汽车功率需求提升,模块的功率密度和效率要求也不断提高。
车载充电机(OBC)与DC-DC转换器:OBC为电池充电,DC-DC为低压系统供电。SiC器件在此领域因高效优势渗透迅速。
当前市场呈现出外资主导,但本土企业迅猛追赶的格局。
本土厂商全面突破:国内企业已实现从芯片设计、制造到封测的全产业链突破。
展望未来,车规级IGBT行业将呈现以下趋势:
供应链安全驱动国产化深入:在地缘政治和产能紧缺背景下,本土供应链的稳定价值凸显,国产替代将从“可用”向“好用、耐用”深化。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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