SiC功率模块在车规级封装中的作用及合明科技SiC功率模块清洗介绍

碳化硅（SiC）功率模块技术在车规级封装中的核心作用体现在其对电动汽车性能、效率和可靠性的革命性提升。以下是其关键作用的详细分析：

1. 提升电气性能与效率

• 高频开关能力：SiC器件开关频率远高于硅基IGBT，允许使用更小的电感、电容和变压器，从而降低无源元件体积和成本，同时提高功率密度。

• 低开关损耗：SiC的快速开关特性大幅降低开关损耗（尤其在高频下），使电机控制器效率提升3%-7%，直接延长电动汽车续航里程。

• 低导通损耗：SiC MOSFET在高压下导通电阻小，减少通态损耗，特别适合400V/800V高压平台。

2. 实现高压平台与快充

• 耐高压特性：SiC击穿电场强度高（约硅的10倍），更适合800V甚至更高电压平台，支持超快充（如350kW+），缩短充电时间。

• 热管理优势：SiC高温下性能稳定，配合封装优化，可简化散热设计，适应高功率密度需求。

3. 车规级封装的特殊挑战与创新

SiC性能优势需通过专用封装技术实现，车规级要求更严格：

• 高温可靠性：SiC工作结温可达200°C以上，封装需采用耐高温材料（如银烧结芯片贴装、AMB陶瓷基板、高导热凝胶）。

• 低寄生参数：高频开关下，寄生电感/电容会导致电压过冲和损耗。封装需优化布局（如叠层母排、Kelvin连接）、采用双面冷却（如Pin-fin结构）降低寄生电感（<10nH）。

• 高功率密度：多芯片集成（如半桥/全桥模块）和紧凑设计（如直接水冷基板）提升空间利用率。

• 机械与环境可靠性：满足振动、热循环（如-40°C~175°C）、湿度等车规标准（如AEC-Q101、AQG-324），需强化连接可靠性（如铜线键合替代铝线，或采用铜带/Clip bonding）。

4. 系统级收益

• 续航提升：效率提升直接降低能耗，或允许使用更小电池包。

• 成本优化：虽然SiC模块成本较高，但节省冷却系统、被动元件成本，并提升整车能效，长期综合成本更具优势。

• 轻量化与小体积：高功率密度减小电驱系统体积重量，提升车辆设计灵活性。

5. 技术发展趋势

• 集成化封装：将SiC模块与栅极驱动、温度传感等功能集成，提升系统可靠性。

• 新材料应用：如高性能导热界面材料、铜碳化硅（Cu-SiC）复合基板进一步改善散热。

• 先进互连技术：采用银烧结、瞬态液相焊接（TLPB）替代焊锡，提升高温可靠性。

结论

SiC功率模块在车规级封装中的核心作用是通过材料特性与封装技术的协同创新，解决电动汽车高压、高效、高功率密度的需求。其不仅推动电驱系统性能边界，更成为800V平台、超快充、长续航等技术突破的关键使能者。未来随着封装技术持续演进，SiC模块将在提升整车竞争力中发挥更核心的作用。

SiC功率模块清洗-合明科技锡膏助焊剂清洗剂介绍：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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主营产品包括：集成电路与先进封装清洗材料、电子焊接助焊剂、电子环保清洗设备、电子辅料等。

半导体技术应用节点：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆叠集成;COB绑定前清洗；晶圆级封装；高密度SIP焊后清洗；功率电子清洗。