2025年中国功率电子芯片行业分析及合明科技功率电子芯片清洗介绍

2025年中国功率半导体行业综合分析报告

中国功率半导体行业在2025年正经历一场深刻的“逆袭”，从过去的技术跟随着和依赖者，转变为全球产业链中备受瞩目的合作伙伴和竞争者。这一转变由市场需求爆发、技术代际跨越、产业链深度协同以及国产替代加速等多重力量共同驱动。

一、行业发展现状与核心趋势：从“并跑”到局部“领跑”

当前，中国功率半导体行业正展现出强劲的复苏与增长势头，其核心特征是市场率先复苏、技术实现代际跨越、国际地位显著提升。

1. 市场规模持续扩张，率先进入上行周期
中国作为全球最大的功率半导体消费市场，其规模持续稳健增长，并已领先全球进入行业上行周期。据预测，2025年中国功率半导体市场规模将超过1800亿元人民币。与全球市场仍处“磨底尾声”阶段不同，受益于新能源汽车、光伏储能等领域的强劲需求，以及消费电子需求回温，中国功率市场自2025年上半年起已率先迈入温和复苏。统计显示，国内11家主要功率公司在一、二季度的收入同比增长分别达到19%和18%，增速明显回暖。

2. 技术实现代际跨越，第三代半导体成为突破先锋
行业的核心驱动力正从传统硅基（Si）器件，快速向以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体迁移。中国企业在此领域实现了从材料、制造到应用的全链条突破，部分环节已达到国际领先水平。

• 氮化镓（GaN）：中国企业实现了全球引领。英诺赛科不仅是全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆量产的企业，其2024年全球市场占有率已突破42.4%。其技术实力获得国际顶尖客户认可，于2025年8月作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V AI数据中心电源供应链。近日，全球巨头安森美（onsemi）宣布与英诺赛科深度合作，联合开发下一代高效功率器件，标志着中国GaN技术开始向全球进行“反向赋能”。

• 碳化硅（SiC）：国内产业链正在快速完善，并向8英寸先进制程迈进。由三安光电与意法半导体（ST） 在重庆合资建设的项目，是国内首条8英寸车规级SiC功率器件规模化量产线，预计2025年第四季度投产。这标志着中国已具备承接全球高端SiC制造的能力。在上游材料环节，天岳先进、天科合达等企业的衬底产品已成功进入英飞凌、罗姆等国际巨头的供应链体系。

3. 国产化进程加速，从“替代”走向“共生”
国产化率是衡量产业自主性的关键指标。当前，中低端功率器件（如二极管、三极管）国产化率已超过80%。在高端领域，以SiC为例，预计到2024年底，国内厂商的市占率（国产化率）有望提升10-15个百分点，达到约20%，并有望在未来3-5年内突破50%。国产替代的模式已从初期的简单替代，升级为与国际巨头的联合研发、产能共建和供应链绑定等深度合作模式。

二、市场竞争格局：本土企业崛起与国际合作深化

市场竞争呈现出本土企业群体性崛起与国际巨头深度绑定中国产业链并行的鲜明特征。

1. 本土领先企业矩阵形成
一批本土企业在设计、制造、模块等环节形成了核心竞争力，构成了逆袭的核心力量。根据公开信息，部分代表性企业的近期表现如下：

2. 国际合作范式升级
国际半导体巨头正以前所未有的广度和深度与中国企业合作，合作模式已超越早期的技术授权或采购，演变为：

• 联合研发与产能共建：如安森美与英诺赛科在GaN领域的合作，意法半导体与三安光电合资建厂。

• 上游供应链绑定：如英飞凌与天岳先进、天科合达签订SiC衬底长期供应协议。

• 共同开拓高端市场：如松下与比亚迪联合研发车用GaN器件，恩智浦与斯达半导共同开拓海外车规市场。

这些合作本质上是国际巨头对中国企业在核心技术、产能规模和市场潜力上综合实力的高度认可。

三、产业链布局与区域发展：构建自主可控的产业生态

中国功率半导体产业已形成从上游材料、中游制造到下游应用的完整产业链，并通过区域产业集群实现差异化发展。

1. 全产业链协同增强韧性

• 上游材料：在SiC衬底、外延片等关键材料领域实现突破并进入国际供应链。半导体硅片、光刻胶等基础材料市场也在复苏与增长中。

• 中游制造：国内12英寸功率器件产能（如华虹、华润微、士兰微等）在市场需求带动下稼动率趋于饱满。以IDM模式和专业化分工相结合的产业生态正在形成，自我造血能力增强。

• 下游应用：新能源汽车是最大驱动力，单车功率半导体价值量约为传统汽车的5-8倍。此外，光伏储能、AI数据中心、工业控制等成为多元化增长引擎。

2. 区域产业集群特征明显
根据产业布局，已形成各具特色的区域性产业集群：

• 长三角地区：聚焦车规级芯片研发与高端制造，企业集聚度高，产业链完整。

• 珠三角地区：深耕消费电子配套电源管理芯片和快充器件，市场化应用活跃。

• 成渝地区：布局工业级功率模块，并依托重大项目（如重庆三安意法项目）打造第三代半导体制造高地。

四、未来展望：挑战与机遇并存

面向未来，中国功率半导体行业在迈向全面“领跑”的道路上，机遇与挑战交织。

1. 核心机遇

• 需求持续爆发：AI将成为继新能源汽车之后的第二大增长极。AI数据中心的高功耗推动供电架构向800V高压直流升级，极大拉动了对GaN等高效功率器件的需求。新能源汽车、光伏储能的渗透率提升也将带来确定性的增长。

• 政策与生态支持：国家层面对半导体行业尤其是第三代半导体的支持政策持续加码，为产业发展提供了良好的宏观环境。国内庞大的应用市场为技术迭代提供了最快速的试验场和反馈闭环。

2. 主要挑战

• 高端领域仍有差距：在高压大功率IGBT模块、汽车主驱逆变器等最高端应用领域，国际巨头仍占据主导地位。整体功率市场，特别是中低压领域的国产化率仍有较大提升空间。

• 供应链波动风险：国际政治经济环境的不确定性可能带来供应链的临时性扰动，例如近期对安世半导体的出口管制反制措施，凸显了供应链安全的重要性。

• 技术迭代与成本压力：第三代半导体技术迭代迅速，需要持续的高强度研发投入。同时，在产能扩张期，企业也面临着降本提效以保持产品竞争力的压力。

结论
综上所述，2025年的中国功率半导体行业正处在从“国产替代”迈向“技术引领”、从“市场跟随”转向“生态主导”的关键历史节点。凭借在第三代半导体领域的前瞻布局、与全球产业链的深度融合、以及国内庞大应用市场的驱动，行业已构建起强大的上升动能。尽管在部分最尖端领域仍面临挑战，但产业整体“逆袭”的态势已非常清晰，有望在未来全球功率电子产业的版图中占据更为核心的地位。

功率半导体清洗-合明科技锡膏助焊剂清洗剂介绍：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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合明科技凭借精湛的产品技术水平受邀成为国际电子工业连接协会技术组主席单位，编写全球首部中文版《清洗指导》IPC标准（标准编号：IPC-CH-65B CN）(“Guidelines for Cleaning of Printed Boards and Assemblies”)，IPC标准是全球电子行业优先选用标准，是集成电路材料产业技术创新联盟会员成员。

主营产品包括：集成电路与先进封装清洗材料、电子焊接助焊剂、电子环保清洗设备、电子辅料等。

半导体技术应用节点：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆叠集成;COB绑定前清洗；晶圆级封装；高密度SIP焊后清洗；功率电子清洗。